IRF7380PBF vs IRF7341PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7341PBF et IRF7380PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
80V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
23nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
660pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Connexes
9061 PCS
