IRF7314TRPBF vs IRF7379QTRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7314TRPBF et IRF7379QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7314TRPBF

+Nomenclature

2624 PCS | Technologie Infineon
IRF7379QTRPBF

+Nomenclature

8064 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A 5.8A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 780pF @ 15V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modèle de comparaison : IRF7314TRPBF IRF7379QTRPBF

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