IRF7341GTRPBF vs IRF7389
Cette comparaison détaillée des composants IRF7341GTRPBF et IRF7389 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA (Min)
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
44nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2.4W
2.5W
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A
-
