IRF7341GTRPBF vs IRF7341TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7341TRPBF et IRF7341GTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET N-CH 55V 5.1A
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
5.1A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
44nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
780pF @ 25V
Power-Max
2W
2.4W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
