IRF7324TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7341GTRPBF et IRF7324TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7341GTRPBF

+Nomenclature

3946 PCS | Technologie Infineon
IRF7324TRPBF

+Nomenclature

2046 PCS | Technologie Infineon
Package SO-8 SO-8
Description MOSFET N-CH 55V 5.1A MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.1A 9A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 5.1A, 10V 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44nC @ 10V 63nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 780pF @ 25V 2940pF @ 15V
Power-Max 2.4W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7341GTRPBF IRF7324TRPBF

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