IRF7317TRPBF vs IRF7341QTRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7317TRPBF et IRF7341QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.6A, 5.3A
5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
900pF @ 15V
780pF @ 25V
Power - Max
2W
2.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
