IRF7309TRPBF vs IRF7313PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7309TRPBF et IRF7313PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7309TRPBF

+Nomenclature

5390 PCS | Technologie Infineon
IRF7313PBF

+Nomenclature

2846 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A, 3A 6.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 15V 650pF @ 25V
Power - Max 1.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7309TRPBF IRF7313PBF

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