IRF7309TRPBF vs IRF7307QTRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7309TRPBF et IRF7307QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4A, 3A
5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 15V
660pF @ 15V
Power - Max
1.4W
2W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
