IRF7304TRPBF vs IRF7380QTRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7304TRPBF et IRF7380QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7304TRPBF

+Nomenclature

6900 PCS | Technologie Infineon
IRF7380QTRPBF

+Nomenclature

7370 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Last Time Buy Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 80V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 23nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 15V 660pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modèle de comparaison : IRF7304TRPBF IRF7380QTRPBF

+Nomenclature Demande de devis