IRF7304TRPBF vs IRF7350TRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7304TRPBF et IRF7350TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7304TRPBF

+Nomenclature

6900 PCS | Technologie Infineon
IRF7350TRPBF

+Nomenclature

7502 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A 2.1A, 1.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 210mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 28nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 15V 380pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7304TRPBF IRF7350TRPBF

+Nomenclature Demande de devis