IRF7304TRPBF vs IRF7309QTRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7304TRPBF et IRF7309QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7304TRPBF

+Nomenclature

6900 PCS | Technologie Infineon
IRF7309QTRPBF

+Nomenclature

4321 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Last Time Buy Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A 4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 15V 520pF @ 15V
Power - Max 2W 1.4W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modèle de comparaison : IRF7304TRPBF IRF7309QTRPBF

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