IRF7104TRPBF vs IRF7105QTRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7104TRPBF et IRF7105QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.3A
3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
290pF @ 15V
330pF @ 15V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
