IRF7103TRPBF vs IRF7102

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Spécifications
IRF7103TRPBF

+Nomenclature

3890 PCS | Technologie Infineon
IRF7102

+Nomenclature

3946 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50V 50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A 2A
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30nC @ 10V 6.6nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 25V 120pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modèle de comparaison : IRF7103TRPBF IRF7102

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