IRF7104TRPBF vs IRF7103PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7104TRPBF et IRF7103PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7104TRPBF

+Nomenclature

22804 PCS | Technologie Infineon
IRF7103PBF

+Nomenclature

4780 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 30nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 15V 290pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7104TRPBF IRF7103PBF

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