IRF7103TRPBF vs IRF7105QTRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7103TRPBF et IRF7105QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
50V
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3A
3.5A, 2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
130mOhm @ 3A, 10V
100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
30nC @ 10V
27nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 25V
330pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
