IRF7104TRPBF vs IRF7101PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7104TRPBF et IRF7101PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
320pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
