FDMC86262P vs FDMC86139P

Cette comparaison détaillée des composants FDMC86262P et FDMC86139P vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDMC86262P

+Nomenclature

3095 PCS | Semi - conducteurs
FDMC86139P

+Nomenclature

5029 PCS | Semi - conducteurs
Package PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Description MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta), 8.4A (Tc) 4.4A (Ta), 15A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 307mOhm @ 2A, 10V 67mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 885 pF @ 75 V 1335 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDMC86262P FDMC86139P

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