FDMC86262P vs FDMC86116LZ
Cette comparaison détaillée des composants FDMC86116LZ et FDMC86262P vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
WDFN-8
Description
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMC86116
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2A (Ta), 8.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
307mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
13 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
885 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max)
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
