FDMC8030 vs FDMC86116LZ
Cette comparaison détaillée des composants FDMC8030 et FDMC86116LZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
Description
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
FDMC80
FDMC86116
FET Type
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1975pF @ 20V
310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
-
2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Power - Max
800mW
-
