CSD87335Q3D vs CSD87352Q5D

Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87352Q5D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD87335Q3D CSD87352Q5D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 8.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 25A
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.15V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 12.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1800pF @ 15V
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