CSD87350Q5D vs CSD87335Q3D

Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87350Q5D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD87335Q3D

+Nomenclature

6547 PCS | Texas Instruments
CSD87350Q5D

+Nomenclature

7004 PCS | Texas Instruments
Package LDFN-8
Description MOSFET 2N-CH 30V 8LSON MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active -
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - 2 N-Channel (Dual)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 40A
RdsOn(Max)@IdVgs - 5.9mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id - 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 10.9nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1770pF @ 15V
Power-Max - 12W
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modèle de comparaison : CSD87335Q3D CSD87350Q5D

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