CSD87350Q5D vs CSD87313DMS

Cette comparaison détaillée des composants CSD87350Q5D et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD87350Q5D CSD87313DMS
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.9nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1770pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 40A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 20A, 8V -
Power - Max 12W -
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