CSD87350Q5D vs CSD87331Q3D

Cette comparaison détaillée des composants CSD87331Q3D et CSD87350Q5D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD87331Q3D

+Nomenclature

6404 PCS | Texas Instruments
CSD87350Q5D

+Nomenclature

7004 PCS | Texas Instruments
Package PowerLDFN-8 PowerLDFN-8
Description MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 15A 40A
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.2nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 518pF @ 15V 1770pF @ 15V
Power-Max 6W 12W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
RdsOn(Max)@IdVgs - 5.9mOhm @ 20A, 8V
Modèle de comparaison : CSD87331Q3D CSD87350Q5D

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