2N7002DW vs 2N7002K-T1-GE3
Cette comparaison détaillée des composants 2N7002K-T1-GE3 et 2N7002DW vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-3
Description
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Series
TrenchFET®
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ProductStatus
Active
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FETType
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
300mA (Ta)
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DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
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RdsOn(Max)@IdVgs
2Ohm @ 500mA, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
2.5V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
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Vgs(Max)
±20V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
30 pF @ 25 V
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PowerDissipation(Max)
350mW (Ta)
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
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Part Status
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Active
Base Product Number
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2N7002
Configuration
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2 N-Channel (Dual)
FET Feature
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Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max
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200mW
Packaging
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Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
