2N7002DW vs 2N7002-7-F Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002DW et 2N7002-7-F vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
2N7002DW

+Nomenclature

6631 PCS | Semi - conducteurs
2N7002-7-F

+Nomenclature

5757 PCS | La société diodes
Package SOT-23-3
Description MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 115mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 370mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Modèle de comparaison : 2N7002DW 2N7002-7-F

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