2N7002DW vs 2N7002E-T1-E3
Cette comparaison détaillée des composants 2N7002DW et 2N7002E-T1-E3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT23-3
Description
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
240mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
21 pF @ 5 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Active
-
Base Product Number
2N7002
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
-
Power - Max
200mW
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
