IXTP08N100D2

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IXTP08N100D2

+Nomenclature

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

  • FabricantLa société ixys

  • Pièce fabricant #IXTP08N100D2

  • En stock4697

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3

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