IXFN100N10S1

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IXFN100N10S1

+Nomenclature

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

  • FabricantLa société ixys

  • Pièce fabricant #IXFN100N10S1

  • En stock3188

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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