NCP5181DR2G vs NCP5111DR2G Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants NCP5181DR2G et NCP5111DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Last Time Buy
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Synchronous
Number of Drivers
2
2
Gate Type
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink)
1.4A, 2.2A
250mA, 500mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
40ns, 20ns
85ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
