NCP5106BDR2G vs NCP5162DR2

Cette comparaison détaillée des composants NCP5106BDR2G et NCP5162DR2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NCP5106BDR2G NCP5162DR2
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Output Type - Transistor Driver
Function - Step-Down
Output Configuration - Positive
Topology - Buck
Number of Outputs - 1
Output Phases - 1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd) - 8.8V ~ 18V
Duty Cycle(Max) - 100%
Synchronous Rectifier - Yes
Clock Sync - No
Control Features - Enable, Soft Start
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
Compare Demande de devis