NCP5106BDR2G vs NCP51145PDR2G Comparaison

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Spécifications
NCP5106BDR2G

+Nomenclature

5795 PCS | Semi - conducteurs
NCP51145PDR2G

+Nomenclature

2518 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Applications - LDO (Linear), DDR
Voltage - Input - 1V ~ 5.5V
Number of Outputs - 1
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
Modèle de comparaison : NCP5106BDR2G NCP51145PDR2G

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