IRLML0060TRPBF vs IRLML2502TRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRLML2502TRPBF et IRLML0060TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRLML2502TRPBF

+Nomenclature

1725 PCS | Technologie Infineon
IRLML0060TRPBF

+Nomenclature

7743 PCS | Redresseur international
Package SOT-23
Description MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 IRLML0060 - 20V-100V N-CHANNEL S
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
Base Product Number IRLML2502 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±12V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 290 pF @ 25 V
Modèle de comparaison : IRLML2502TRPBF IRLML0060TRPBF

+Nomenclature Demande de devis