IRLML0030TRPBF vs IRLML6401TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRLML6401TRPBF et IRLML0030TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOT-23
Description
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
Active
Base Product Number
IRLML6401
-
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
382 pF @ 15 V
