IRLML0030TRPBF vs IRLML5203 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRLML5203 et IRLML0030TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRLML5203

+Nomenclature

6689 PCS | Technologie Infineon
IRLML0030TRPBF

+Nomenclature

4058 PCS | Technologie Infineon
Package SOT-23 SOT-23
Description MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Ta) 5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 98mOhm @ 3A, 10V 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Modèle de comparaison : IRLML5203 IRLML0030TRPBF

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