IRFP4229PBF vs IRFP4568PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4568PBF et IRFP4229PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4568PBF

+Nomenclature

7712 PCS | Technologie Infineon
IRFP4229PBF

+Nomenclature

2338 PCS | Redresseur international
Package TO-247 TO-247-3
Description MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 171A (Tc) 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 103A, 10V 46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10470 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 517W (Tc) 310W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP4568PBF IRFP4229PBF

+Nomenclature Demande de devis