IRFP4229PBF vs IRFP450PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4229PBF et IRFP450PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4229PBF

+Nomenclature

2338 PCS | Redresseur international
IRFP450PBF

+Nomenclature

6703 PCS | Semi - conducteurs de Weser
Package TO-247-3 TO-247-3
Description IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO NCHAN, TO-247AC, 500V, 14A IRFP4
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 44A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 310W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Modèle de comparaison : IRFP4229PBF IRFP450PBF

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