IRFB7437PBF vs IRFB7430PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFB7430PBF et IRFB7437PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB7430PBF

+Nomenclature

5760 PCS | Technologie Infineon
IRFB7437PBF

+Nomenclature

2323 PCS | Redresseur international
Package TO-220 TO-220-3
Description MOSFET N CH 40V 195A TO220 IRFB7437 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 195A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB7430PBF IRFB7437PBF

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