IRFB7434PBF vs IRFB7430PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFB7430PBF et IRFB7434PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220
TO-220-3
Description
MOSFET N CH 40V 195A TO220
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
195A (Tc)
195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
6V, 10V
6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.9V @ 250µA
3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
460 nC @ 10 V
324 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
14240 pF @ 25 V
10820 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
294W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
