IRFB7434PBF vs IRFB7437PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFB7437PBF et IRFB7434PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB7437PBF

+Nomenclature

2323 PCS | Redresseur international
IRFB7434PBF

+Nomenclature

7189 PCS | Technologie Infineon
Package TO-220-3 TO-220-3
Description IRFB7437 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 195A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 150µA 3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 294W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB7437PBF IRFB7434PBF

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