IRFB3206PBF vs IRFB3607PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3607PBF et IRFB3206PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB3607PBF

+Nomenclature

3175 PCS | Redresseur international
IRFB3206PBF

+Nomenclature

6622 PCS | Technologie Infineon
Package TO-220 TO-220-3
Description IRFB3607 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
ProductStatus Active Active
Series - HEXFET®
FETType - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 300W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB3607PBF IRFB3206PBF

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