IRFB3607PBF vs IRFB3206PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3607PBF et IRFB3206PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3607PBF

Redresseur international

Lifecycle: Active
Stock: 3175 PCS
Package: TO-220
Series: Circuits intégrés dédiés

+Nomenclature Demande de devis

Part B

IRFB3206PBF

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6622 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFB3607PBF	IRFB3206PBF
Part Status	Active	Active
Series	-	HEXFET®
FET Type	-	N-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	-	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	170 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	6540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	-	300W (Tc)
Operating Temperature	-	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	-	Through Hole

Compare Demande de devis