IRFB3206PBF vs IRFB3307ZPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307ZPBF et IRFB3206PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220AB
TO-220-3
Description
IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
Series
-
HEXFET®
FETType
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
300W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
