IRFB3206PBF vs IRFB3307PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307PBF et IRFB3206PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO-220-3
Description
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
130A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 150µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
180 nC @ 10 V
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5150 pF @ 50 V
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
200W (Tc)
300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
