IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7351TRPBF et IRF7341GTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7351TRPBF IRF7341GTRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1330pF @ 30V 780pF @ 25V
Power - Max 2W 2.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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