IRF7317TRPBF vs IRF7342PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7342PBF et IRF7317TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7342PBF

+Nomenclature

2889 PCS | Technologie Infineon
IRF7317TRPBF

+Nomenclature

2170 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 6.6A, 5.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 27nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 900pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7342PBF IRF7317TRPBF

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