IRF7313TRPBF vs IRF7342PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7342PBF et IRF7313TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7342PBF

+Nomenclature

2889 PCS | Technologie Infineon
IRF7313TRPBF

+Nomenclature

4931 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 6.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7342PBF IRF7313TRPBF

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