IRF7309TRPBF vs IRF7307PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7309TRPBF et IRF7307PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7309TRPBF

+Nomenclature

5390 PCS | Technologie Infineon
IRF7307PBF

+Nomenclature

5509 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A, 3A 5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 15V 660pF @ 15V
Power - Max 1.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7309TRPBF IRF7307PBF

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