IRF7104TRPBF vs IRF7106
Cette comparaison détaillée des composants IRF7104TRPBF et IRF7106 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3A, 2.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
300pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
