IRF7104TRPBF vs IRF7103Q
Cette comparaison détaillée des composants IRF7104TRPBF et IRF7103Q vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
255pF @ 25V
Power-Max
2W
2.4W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
