IR2117STRPBF vs IR2110STR
Cette comparaison détaillée des composants IR2117STRPBF et IR2110STR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC 8N
16-SOIC
Description
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
High-Side
Half-Bridge
ChannelType
Single
Independent
NumberofDrivers
1
2
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
10V ~ 20V
3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
250mA, 500mA
2A, 2A
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
500 V
Rise/FallTime(Typ)
80ns, 40ns
25ns, 17ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
