IR2117STRPBF vs IR2110S

Cette comparaison détaillée des composants IR2110S et IR2117STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2110S

+Nomenclature

5478 PCS | Technologie Infineon
IR2117STRPBF

+Nomenclature

1294 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 8N
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2110 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - High-Side
ChannelType - Single
NumberofDrivers - 1
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 250mA, 500mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 40ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2110S IR2117STRPBF

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